SIHF12N65E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.61 грн |
10+ | 102.84 грн |
100+ | 82.33 грн |
250+ | 81.62 грн |
500+ | 72.39 грн |
1000+ | 70.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF12N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF12N65E-GE3 за ціною від 70.23 грн до 190.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF12N65E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
SIHF12N65E-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
товару немає в наявності |
||||||||||||
SIHF12N65E-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
товару немає в наявності |
||||||||||||
SIHF12N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
SIHF12N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |