SIHF068N60EF-GE3

SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors


sihf068n60ef.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 552 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+286.55 грн
25+ 226.63 грн
100+ 184.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.059 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SIHF068N60EF-GE3 за ціною від 159.68 грн до 436.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Виробник : VISHAY 2921050.pdf Description: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.059 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+313.73 грн
10+ 222.7 грн
100+ 186.94 грн
500+ 160 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihf068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+436.55 грн
50+ 222.76 грн
100+ 203.66 грн
500+ 159.68 грн
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihf068n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihf068n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товар відсутній
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihf068n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товар відсутній
SIHF068N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihf068n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHF068N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihf068n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній