![SIHF065N60E-GE3 SIHF065N60E-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4513/MFG_TO-220-FUllPAK.jpg)
SIHF065N60E-GE3 Vishay Siliconix
![sihf065n60e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 462.88 грн |
50+ | 355.69 грн |
100+ | 318.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF065N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF065N60E-GE3 за ціною від 241.13 грн до 497.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHF065N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHF065N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SIHF065N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SIHF065N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SIHF065N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SIHF065N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHF065N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |