![SIHD6N62E-GE3 SIHD6N62E-GE3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_252_AA_3_ITP_t.jpg)
SIHD6N62E-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.71 грн |
10+ | 96.17 грн |
100+ | 42.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD6N62E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHD6N62E-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIHD6N62E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
SIHD6N62E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
SIHD6N62E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V |
товар відсутній |