SIHD690N60E-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.71 грн |
| 10+ | 79.02 грн |
| 100+ | 57.91 грн |
| 500+ | 52.97 грн |
| 1000+ | 44.88 грн |
| 3000+ | 41.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHD690N60E-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 11A; 62.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 11A, Power dissipation: 62.5W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.7Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHD690N60E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD690N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 11A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SIHD690N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK |
товар відсутній |
|
| SIHD690N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 11A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |