SiHD14N60E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 12199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 163.12 грн |
10+ | 159.15 грн |
75+ | 75.23 грн |
300+ | 73.81 грн |
525+ | 67.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiHD14N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SiHD14N60E-GE3 за ціною від 59.39 грн до 175.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SiHD14N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SIHD14N60E-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
SiHD14N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 147W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
SiHD14N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 147W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |