![SIHB6N80E-GE3 SIHB6N80E-GE3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_263_3_new_SPL.jpg)
SIHB6N80E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.72 грн |
10+ | 166.51 грн |
100+ | 115.27 грн |
250+ | 106.13 грн |
500+ | 96.29 грн |
1000+ | 81.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB6N80E-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 5.4A, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 78W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 940mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 44nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHB6N80E-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIHB6N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||
SIHB6N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 78W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
SIHB6N80E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
||
SIHB6N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 78W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |