![SIHB33N60EF-GE3 SIHB33N60EF-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2417/742%3B5970%3BA%2CB%2CR%20S%2CT%3B3.jpg)
SIHB33N60EF-GE3 Vishay Siliconix
![sihb33n60ef.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 443.26 грн |
10+ | 365.71 грн |
100+ | 304.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB33N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB33N60EF-GE3 за ціною від 243.19 грн до 476.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHB33N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHB33N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SIHB33N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |