SIHB17N80E-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 7459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 317.95 грн |
10+ | 273.43 грн |
25+ | 230.81 грн |
100+ | 199.53 грн |
250+ | 195.36 грн |
500+ | 182.84 грн |
1000+ | 167.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB17N80E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB17N80E-GE3 за ціною від 185.91 грн до 340.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHB17N80E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
SIHB17N80E-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||
SIHB17N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 208W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
SIHB17N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 208W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |