Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHB105N60EF-GE3
SIHB105N60EF-GE3

SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix

sihb105n60ef.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.34 грн
10+ 216.62 грн
25+ 168.69 грн
100+ 149.71 грн
250+ 145.49 грн
500+ 137.06 грн
1000+ 125.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHB105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 208W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF IV Gen, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHB105N60EF-GE3 за ціною від 107.42 грн до 266.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihb105n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.26 грн
50+ 197.44 грн
100+ 169.24 грн
500+ 141.18 грн
1000+ 120.89 грн
2000+ 113.83 грн
5000+ 107.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Виробник : VISHAY 2898288.pdf Description: VISHAY - SIHB105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+266.5 грн
10+ 239.69 грн
25+ 217.62 грн
100+ 181.57 грн
500+ 143.27 грн
1000+ 129.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB105N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb105n60ef.pdf Power MOSFET
товар відсутній
SIHB105N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihb105n60ef.pdf Power MOSFET
товар відсутній