![SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/D2PAK-3.jpg)
SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 8124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.34 грн |
10+ | 216.62 грн |
25+ | 168.69 грн |
100+ | 149.71 грн |
250+ | 145.49 грн |
500+ | 137.06 грн |
1000+ | 125.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHB105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 208W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF IV Gen, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHB105N60EF-GE3 за ціною від 107.42 грн до 266.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHB105N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V |
на замовлення 5701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHB105N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 208W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF IV Gen productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 6930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SIHB105N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHB105N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |