![SIHA24N80AE-GE3 SIHA24N80AE-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/TO-220_fullpack_DSL.jpg)
SIHA24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 223.86 грн |
50+ | 198.03 грн |
100+ | 146.9 грн |
250+ | 146.19 грн |
500+ | 130.73 грн |
1000+ | 110.35 грн |
2500+ | 106.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHA24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHA24N80AE-GE3 за ціною від 122.27 грн до 246.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHA24N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SIHA24N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
SIHA24N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
SIHA24N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A On-state resistance: 184mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 51A Gate charge: 89nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
SIHA24N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A On-state resistance: 184mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 51A Gate charge: 89nC |
товар відсутній |