Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHA24N80AE-GE3
SIHA24N80AE-GE3

SIHA24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix

siha24n80ae.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.86 грн
50+ 198.03 грн
100+ 146.9 грн
250+ 146.19 грн
500+ 130.73 грн
1000+ 110.35 грн
2500+ 106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHA24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHA24N80AE-GE3 за ціною від 122.27 грн до 246.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHA24N80AE-GE3 SIHA24N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siha24n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.89 грн
50+ 177.43 грн
100+ 152.1 грн
500+ 126.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA24N80AE-GE3 SIHA24N80AE-GE3 Виробник : VISHAY siha24n80ae.pdf Description: VISHAY - SIHA24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+246.79 грн
10+ 160.85 грн
100+ 140.35 грн
500+ 122.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA24N80AE-GE3 Виробник : Vishay siha24n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A
товар відсутній
SIHA24N80AE-GE3 Виробник : VISHAY siha24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
On-state resistance: 184mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 51A
Gate charge: 89nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHA24N80AE-GE3 Виробник : VISHAY siha24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
On-state resistance: 184mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 51A
Gate charge: 89nC
товар відсутній