![SIHA15N65E-GE3 SIHA15N65E-GE3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_FullPack_3_t.jpg)
SIHA15N65E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.72 грн |
10+ | 181.06 грн |
25+ | 153.22 грн |
100+ | 135.65 грн |
250+ | 128.62 грн |
500+ | 120.89 грн |
1000+ | 99.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA15N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHA15N65E-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHA15N65E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 100 V |
товар відсутній |