Продукція > VISHAY > SIHA125N60EF-GE3
SIHA125N60EF-GE3

SIHA125N60EF-GE3 VISHAY


siha125n60ef.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+199.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA125N60EF-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SIHA125N60EF-GE3 за ціною від 122.48 грн до 306.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siha125n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+306.32 грн
50+ 165.13 грн
100+ 151.92 грн
500+ 122.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 Виробник : Vishay siha125n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 Виробник : Vishay siha125n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 Виробник : Vishay siha125n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 Виробник : Vishay siha125n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
SIHA125N60EF-GE3 Виробник : VISHAY siha125n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siha125n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
SIHA125N60EF-GE3 Виробник : VISHAY siha125n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.125Ω
товару немає в наявності