SIHA120N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 249.53 грн |
| 10+ | 201.67 грн |
| 100+ | 163.16 грн |
| 500+ | 149.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA120N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHA120N60E-GE3 за ціною від 159.59 грн до 268.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA120N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220 |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHA120N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||
| SIHA120N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| SIHA120N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |