![SIE882DF-T1-GE3 SIE882DF-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2597/Pkg 5946.jpg)
SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix
![sie882df.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 12.5 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 167.27 грн |
10+ | 134.2 грн |
100+ | 106.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PolarPAK® (L), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 12.5 V.
Інші пропозиції SIE882DF-T1-GE3 за ціною від 77.31 грн до 183.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIE882DF-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIE882DF-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PolarPAK® (L) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 12.5 V |
товар відсутній |