SIDR5802EP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 14399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 138.38 грн |
| 500+ | 125.59 грн |
| 1000+ | 113.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIDR5802EP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 153A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SIDR5802EP-T1-RE3 за ціною від 83.36 грн до 236.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIDR5802EP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 34.2A T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIDR5802EP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Ta), 153A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V |
на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIDR5802EP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR |
на замовлення 1796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIDR5802EP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 153A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 14399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIDR5802EP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 34.2A T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SIDR5802EP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 153A; Idm: 300A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 80V Drain current: 153A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SIDR5802EP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Ta), 153A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIDR5802EP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 153A; Idm: 300A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 80V Drain current: 153A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Mounting: SMD |
товар відсутній |