Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR104AEP-T1-RE3
SIDR104AEP-T1-RE3

SIDR104AEP-T1-RE3 Vishay Siliconix


sidr104aep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR104AEP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 0.0049 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 90.5, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 120, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції SIDR104AEP-T1-RE3 за ціною від 84.67 грн до 351.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIDR104AEP-T1-RE3 SIDR104AEP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr104aep.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 8218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.32 грн
10+ 152.88 грн
100+ 111.41 грн
500+ 87.44 грн
1000+ 84.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR104AEP-T1-RE3 SIDR104AEP-T1-RE3 Виробник : Vishay sidr104aep.pdf MOSFETs SOT669 100V 90.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.4 грн
10+ 193.43 грн
25+ 165.36 грн
100+ 122.78 грн
500+ 104.33 грн
1000+ 94.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR104AEP-T1-RE3 SIDR104AEP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 3380087.pdf Description: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 0.0049 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 90.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+351.1 грн
10+ 308.91 грн
100+ 253.18 грн
500+ 193.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR104AEP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 3380087.pdf Description: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 0.0049 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 90.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+253.18 грн
500+ 193.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR104AEP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sidr104aep.pdf SIDR104AEP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності