SICW040N120H-BP Micro Commercial Components (MCC)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 891.78 грн |
| 10+ | 753.22 грн |
| 100+ | 545.57 грн |
| 250+ | 523.11 грн |
| 500+ | 481.81 грн |
| 1000+ | 433.27 грн |
| 1800+ | 413.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SICW040N120H-BP Micro Commercial Components (MCC)
Description: SIC MOSFET,TO-247AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA, Supplier Device Package: TO-247AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SICW040N120H-BP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SICW040N120H-BP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: SIC MOSFET,TO-247AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA Supplier Device Package: TO-247AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V |
товар відсутній |