SICW025N120H4-BP Micro Commercial Components (MCC)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1236.66 грн |
| 10+ | 1120.67 грн |
| 25+ | 933.92 грн |
| 50+ | 903.49 грн |
| 100+ | 823.07 грн |
| 250+ | 782.5 грн |
| 500+ | 731.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SICW025N120H4-BP Micro Commercial Components (MCC)
Description: SIC MOSFET,TO-247-4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SICW025N120H4-BP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SICW025N120H4-BP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: SIC MOSFET,TO-247-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V |
товар відсутній |