SICW025N120H-BP Micro Commercial Components (MCC)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1201.43 грн |
10+ | 1088.77 грн |
25+ | 907.72 грн |
50+ | 877.92 грн |
100+ | 799.14 грн |
250+ | 760.1 грн |
500+ | 711.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SICW025N120H-BP Micro Commercial Components (MCC)
Description: SIC MOSFET,TO-247AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA, Supplier Device Package: TO-247AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SICW025N120H-BP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SICW025N120H-BP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: SIC MOSFET,TO-247AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA Supplier Device Package: TO-247AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |