SICU02120B-TP Micro Commercial Components (MCC)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.09 грн |
| 10+ | 194.76 грн |
| 100+ | 137.78 грн |
| 250+ | 129.17 грн |
| 500+ | 121.99 грн |
| 1000+ | 105.49 грн |
| 2500+ | 98.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SICU02120B-TP Micro Commercial Components (MCC)
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції SICU02120B-TP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SICU02120B-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
 Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
SICU02120B-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
|
|
|
SICU02120B-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
товар відсутній |