SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.52 грн |
| 6000+ | 9.61 грн |
| 9000+ | 8.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SIB441EDK-T1-GE3 за ціною від 8.78 грн до 36.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIB441EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |