SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10 грн |
| 6000+ | 9.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 10W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SIB4316EDK-T1-GE3 за ціною від 10.1 грн до 35.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIB4316EDK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 10W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIB4316EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V |
на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIB4316EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CH 30-V MSFT |
на замовлення 28594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIB4316EDK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|