Продукція > SIB > SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3


sib417ed.pdf Виробник:

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIB417EDK-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±5V, Pulsed drain current: -15A, Power dissipation: 13W, Drain-source voltage: -8V, Drain current: -9A, On-state resistance: 0.25Ω, Type of transistor: P-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції SIB417EDK-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIB417EDK-T1-GE3 SIB417EDK-T1-GE3 Виробник : Vishay sib417ed.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
товар відсутній
SIB417EDK-T1-GE3 Виробник : VISHAY sib417ed.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 13W
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -9A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIB417EDK-T1-GE3 SIB417EDK-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sib417ed.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
товар відсутній
SIB417EDK-T1-GE3 SIB417EDK-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sib417ed-244599.pdf MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
товар відсутній
SIB417EDK-T1-GE3 Виробник : VISHAY sib417ed.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 13W
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -9A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній