Продукція > VISHAY > SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

Name: SI9933CDY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 231786-7
Price: 14.73 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI9933CDY-T1-GE3 за ціною від 13.25 грн до 48.3 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	16 грн
5000+	15.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	17.23 грн
5000+	16.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
25+	24.34 грн
27+	22.7 грн
100+	18.4 грн
250+	16.94 грн
500+	14.74 грн
1000+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 25

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
498+	24.45 грн
593+	20.55 грн
596+	20.43 грн
658+	17.86 грн
1000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 498

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
457+	26.68 грн
482+	25.26 грн
484+	25.15 грн
556+	21.13 грн
1000+	18.66 грн

Мінімальне замовлення: 457

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 17988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	28.26 грн
500+	22.42 грн
1000+	17.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8

на замовлення 84368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	38.93 грн
10+	34.08 грн
100+	21.31 грн
500+	18.44 грн
1000+	16 грн
2500+	14.78 грн
5000+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 9

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 58mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: -4A
Drain-source voltage: -20V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	40.25 грн
44+	20.04 грн
121+	18.94 грн
500+	18.39 грн
1000+	18.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: 0
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 17578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
19+	43.55 грн
50+	35.98 грн
100+	28.26 грн
500+	22.42 грн
1000+	17.66 грн

Мінімальне замовлення: 19

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 7075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	44.25 грн
10+	36.78 грн
100+	25.44 грн
500+	19.95 грн
1000+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	48.3 грн
44+	24.97 грн
121+	22.73 грн
500+	22.07 грн
1000+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 1163 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
40+	15.96 грн

Мінімальне замовлення: 40

SI9933CDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній