Si9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 16.45 грн |
| 5000+ | 15.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції Si9933CDY-T1-E3 за ціною від 13.93 грн до 43.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9933CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9933CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si9933CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 33803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
Si9933CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 9920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI9933CDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| Si9933CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
08+ SOT-23 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI9933CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| Si9933CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A On-state resistance: 94mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| Si9933CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A On-state resistance: 94mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Case: SO8 |
товар відсутній |