![SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/6/6/13/30/29/777/vsh_/manual/soic127p600x175-8l43_vsh_n.step.jpg)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 18.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9926CDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SI9926CDY-T1-E3 за ціною від 22.07 грн до 88.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.7A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.7A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 6416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 7172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI9926CDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
SI9926CDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI9926CDY-E3 Код товару: 163294 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|