SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.7W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 24V, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 5.7W, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 37mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI8902AEDB-T2-E1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI8902AEDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET |
товар відсутній |
||
 |
SI8902AEDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6 |
товар відсутній |
|
| SI8902AEDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 11A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 5.7W Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |