SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.59 грн |
| 13+ | 23.75 грн |
| 100+ | 14.26 грн |
| 500+ | 12.39 грн |
| 1000+ | 8.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI8821EDB-T2-E1 за ціною від 6.88 грн до 34.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8821EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
на замовлення 8426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8821EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI8821EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.3A; Idm: -15A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A On-state resistance: 0.215Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -15A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI8821EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI8821EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.3A; Idm: -15A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A On-state resistance: 0.215Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -15A |
товар відсутній |