SI8819EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.85 грн |
| 13+ | 26.45 грн |
| 100+ | 15.68 грн |
| 500+ | 11.78 грн |
| 1000+ | 8.85 грн |
| 3000+ | 8.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8819EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI8819EDB-T2-E1 за ціною від 7.6 грн до 28.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8819EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOTPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SI8819EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
SI8819EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.1A 4-Pin Micro Foot |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI8819EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -2.9A; Idm: -15A Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Drain current: -2.9A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.28Ω Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 0.9W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI8819EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -2.9A; Idm: -15A Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Drain current: -2.9A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.28Ω Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 0.9W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |