SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V.
Інші пропозиції SI8806DB-T2-E1 за ціною від 8.57 грн до 33.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI8806DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V |
на замовлення 4115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8806DB-T2-E1 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8806DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 3.9A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI8806DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 3.9A; Idm: 20A Mounting: SMD On-state resistance: 75mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: 12V Drain current: 3.9A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI8806DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 3.9A; Idm: 20A Mounting: SMD On-state resistance: 75mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: 12V Drain current: 3.9A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A |
товар відсутній |