SI8800EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
на замовлення 56713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.17 грн |
| 16+ | 20.95 грн |
| 100+ | 15.09 грн |
| 500+ | 13.14 грн |
| 1000+ | 11.75 грн |
| 9000+ | 11.33 грн |
| 24000+ | 10.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8800EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 2.8A, On-state resistance: 0.15Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.9W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 8.3nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 15A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI8800EDB-T2-E1 за ціною від 28.24 грн до 34.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8800EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SI8800EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||
| SI8800EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.8A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 15A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
SI8800EDB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
товар відсутній |
|||||||
| SI8800EDB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.8A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 15A |
товар відсутній |