SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI8406DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 16, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI8406DB-T2-E1 за ціною від 11.82 грн до 43.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8406DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI8406DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI8406DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1 |
на замовлення 5674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI8406DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
на замовлення 5466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI8406DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SI8406DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
SI8406DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
SI8406DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8406DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 16 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 13 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400 euEccn: NLR Verlustleistung: 13 Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| SI8406DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 30A; 13W Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 13W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 30A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| SI8406DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 30A; 13W Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 13W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 30A |
товар відсутній |