Технічний опис SI8401DB-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI8401DB-T1-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI8401DB-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
||
SI8401DB-T1-E3 | Виробник : VISHAY | SI8401DB-T1-E3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||
SI8401DB-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
||
SI8401DB-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V |
товару немає в наявності |