Продукція > VISHAY > SI8401DB-T1-E3
SI8401DB-T1-E3

SI8401DB-T1-E3 Vishay


si8401db.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8401DB-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI8401DB-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI8401DB-T1-E3 SI8401DB-T1-E3 Виробник : Vishay si8401db.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
SI8401DB-T1-E3 Виробник : VISHAY si8401db.pdf SI8401DB-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
SI8401DB-T1-E3 SI8401DB-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si8401db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
SI8401DB-T1-E3 SI8401DB-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si8401db.pdf MOSFETs 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
товару немає в наявності