на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 59.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7997DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7997DP-T1-GE3 за ціною від 60.08 грн до 201.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 13897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 7448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 7448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 133693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 14740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Транз. Пол. БМ MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
SI7997DP-T1-GE3 Код товару: 150524 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; 46W Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 46W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI7997DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; 46W Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -60A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 46W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |