![Si7972DP-T1-GE3 Si7972DP-T1-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_SO_8_Dual_SPL.jpg)
Si7972DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 38878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 80.17 грн |
10+ | 64.84 грн |
100+ | 43.91 грн |
500+ | 37.22 грн |
1000+ | 30.32 грн |
3000+ | 30.25 грн |
9000+ | 29.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si7972DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 22W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual.
Інші пропозиції Si7972DP-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SI7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
Si7972DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
Si7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товар відсутній |
|
![]() |
Si7972DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
товар відсутній |