![SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2585/Pkg 5882.jpg)
SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
![72031.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 53.25 грн |
6000+ | 49.35 грн |
9000+ | 47.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI7922DN-T1-GE3 за ціною від 48.43 грн до 118.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7922DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SI7922DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 42035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SI7922DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
SI7922DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |