SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 17.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.
Інші пропозиції SI7904BDN-T1-GE3 за ціною від 33.22 грн до 97.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7904BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 17.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 5805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7904BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 36507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7904BDN-T1-GE3 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI7904BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI7904BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI7904BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 17.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI7904BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 17.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |