SI7884BDP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 96.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7884BDP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI7884BDP-T1-E3 за ціною від 88.42 грн до 197.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7884BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7884BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7884BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7884BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
SI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7884BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V |
на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI7884BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
2010 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
SI7884BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
SI7884BDP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI7884BDP-T1-GE3 |
товар відсутній |