на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 301.65 грн |
| 10+ | 250.05 грн |
| 25+ | 205.59 грн |
| 100+ | 175.62 грн |
| 250+ | 165.87 грн |
| 500+ | 156.11 грн |
| 1000+ | 133.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7880ADP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 83W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 125nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7880ADP-T1-E3 за ціною від 174.56 грн до 340.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7880ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7880ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7880ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SI7880ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7880ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |