SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 76.24 грн |
| 6000+ | 70.65 грн |
| 9000+ | 68.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7852DP-T1-E3 за ціною від 72.52 грн до 177.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7852DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 5561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7852DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7852DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 10231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7852DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 5561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7852DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 10231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7852DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
на замовлення 10225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7852DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 19114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI7852DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
10+ QFN8 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| SI7852DPT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| SI7852DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 5043 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| SI7852DPT1E3 | Виробник : VISHAY | 10+ SOT23-.. |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| SI7852DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| SI7852DP-T1-E3 | Виробник : Vishay/S |
08+ DIP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
SI7852DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| SI7852DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12.5A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
SI7852DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| SI7852DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12.5A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |