Продукція > VISHAY > SI7850DP-T1-GE3
SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3 Vishay

si7850dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7850DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7850DP-T1-GE3 за ціною від 47.91 грн до 145.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 71625.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+60.35 грн
6000+ 55.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 8536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+88.34 грн
500+ 61.63 грн
1500+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A; 0.9W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+118.83 грн
10+ 96.55 грн
17+ 50.82 грн
46+ 47.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003692619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 8536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+118.83 грн
50+ 103.98 грн
100+ 88.34 грн
500+ 61.63 грн
1500+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 71625.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.44 грн
10+ 107.01 грн
100+ 85.2 грн
500+ 67.66 грн
1000+ 57.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A; 0.9W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.6 грн
10+ 120.32 грн
17+ 60.98 грн
46+ 57.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 71625.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.54 грн
10+ 119.42 грн
100+ 82.93 грн
250+ 78.75 грн
500+ 69.69 грн
1000+ 59.17 грн
3000+ 56.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 71625.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній