Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI7846DP-T1-GE3
SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

71442.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.82 грн
10+ 168.93 грн
100+ 116.67 грн
250+ 107.54 грн
500+ 98.4 грн
1000+ 84.34 грн
3000+ 82.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7846DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7846DP-T1-GE3 за ціною від 100.33 грн до 225.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7846DP-T1-GE3 SI7846DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 71442.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.81 грн
10+ 195.41 грн
100+ 157.04 грн
500+ 121.08 грн
1000+ 100.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7846DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 71442.pdf SI7846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI7846DP-T1-GE3 SI7846DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 71442.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
товар відсутній