SI7810DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 25475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.02 грн |
10+ | 91.6 грн |
100+ | 61.64 грн |
500+ | 52.24 грн |
1000+ | 45.35 грн |
3000+ | 44.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7810DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 17nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.4A, On-state resistance: 84mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7810DN-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI7810DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SI7810DN-T1-GE3 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
SI7810DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.4A On-state resistance: 84mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
SI7810DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
||
SI7810DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.4A On-state resistance: 84mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |