![SI7806ADN-T1-E3 SI7806ADN-T1-E3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_1212_8_SPL.jpg)
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 105.7 грн |
10+ | 85.76 грн |
100+ | 57.77 грн |
500+ | 48.92 грн |
1000+ | 39.93 грн |
3000+ | 35.68 грн |
9000+ | 35.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7806ADN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 14A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 3.7W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 20nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7806ADN-T1-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 40038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.7W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
SI7806ADN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.7W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |