SI7772DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.8 грн |
| 10+ | 49.81 грн |
| 100+ | 30.1 грн |
| 500+ | 25.24 грн |
| 1000+ | 20.79 грн |
| 3000+ | 18.63 грн |
| 6000+ | 17.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7772DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35.6A, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 16.5mΩ, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Power dissipation: 29.8W, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 50A, Gate charge: 28nC, Drain current: 35.6A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 30V, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7772DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7772DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SI7772DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI7772DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35.6A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 16.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Power dissipation: 29.8W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 50A Gate charge: 28nC Drain current: 35.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SI7772DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
| SI7772DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35.6A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 16.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Power dissipation: 29.8W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 50A Gate charge: 28nC Drain current: 35.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |