SI7742DP-T1-GE3
Виробник: на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7742DP-T1-GE3
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 60A, On-state resistance: 4.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Power dissipation: 83W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 115nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80A, Case: PowerPAK® SO8, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7742DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7742DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|
| SI7742DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 4.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
SI7742DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|
| SI7742DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
||
 |
SI7742DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
|
|
SI7742DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
 |
SI7742DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V 60A 83W 3.5mohm @ 10V |
товар відсутній |
|
| SI7742DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A On-state resistance: 4.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: PowerPAK® SO8 |
товар відсутній |