SI7738DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 230.91 грн |
10+ | 191.55 грн |
25+ | 161.68 грн |
100+ | 134.5 грн |
250+ | 130.32 грн |
500+ | 119.87 грн |
1000+ | 102.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7738DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V.
Інші пропозиції SI7738DP-T1-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI7738DP-T1-E3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
SI7738DP-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
||
SI7738DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 60A; 62W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Power dissipation: 62W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
SI7738DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
товар відсутній |
||
SI7738DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
товар відсутній |
||
SI7738DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 60A; 62W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Power dissipation: 62W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |