Продукція > VISHAY > SI7615ADN-T1-GE3
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

si7615adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 13355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.4 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7615ADN-T1-GE3 за ціною від 14.24 грн до 65.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.03 грн
6000+ 17.36 грн
9000+ 16.08 грн
30000+ 14.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.46 грн
6000+ 20.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
406+29.79 грн
425+ 28.45 грн
427+ 28.35 грн
500+ 24.46 грн
1000+ 21.74 грн
Мінімальне замовлення: 406
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 12088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.05 грн
500+ 24.9 грн
1000+ 17.42 грн
5000+ 15.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 38928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
334+36.23 грн
427+ 28.3 грн
500+ 24.58 грн
1000+ 20.14 грн
3000+ 17.51 грн
6000+ 15.07 грн
9000+ 14.24 грн
Мінімальне замовлення: 334
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 38948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40.65 грн
17+ 36.15 грн
100+ 28.24 грн
500+ 23.64 грн
1000+ 18.61 грн
3000+ 16.77 грн
6000+ 14.3 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615adn.pdf Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 12877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+48.94 грн
50+ 40.11 грн
100+ 31.27 грн
500+ 20.25 грн
1500+ 18.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 60106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.76 грн
10+ 41.81 грн
100+ 28.94 грн
500+ 22.69 грн
1000+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7615adn.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 68012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.66 грн
10+ 45.84 грн
100+ 27.53 грн
500+ 23.42 грн
1000+ 19.51 грн
3000+ 16.93 грн
6000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+54.73 грн
11+ 35.57 грн
25+ 31.22 грн
33+ 26.13 грн
90+ 24.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.67 грн
7+ 44.33 грн
25+ 37.46 грн
33+ 31.36 грн
90+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
SI7615ADN-T1-GE3
Код товару: 144688 		si7615adn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній