Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7613DN-T1-GE3
SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7613dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+29.75 грн
6000+ 27.28 грн
9000+ 26.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI7613DN-T1-GE3 за ціною від 25.49 грн до 71.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
321+37.69 грн
322+ 37.6 грн
500+ 36.98 грн
1000+ 35.55 грн
2000+ 32.74 грн
Мінімальне замовлення: 321
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
288+42.1 грн
289+ 41.87 грн
291+ 41.65 грн
325+ 35.86 грн
329+ 32.86 грн
500+ 28.87 грн
1000+ 27.45 грн
Мінімальне замовлення: 288
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.2 грн
15+ 40.27 грн
25+ 40.06 грн
50+ 38.42 грн
100+ 31.42 грн
250+ 29.87 грн
500+ 27.31 грн
1000+ 25.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7613dn.pdf MOSFET -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 33344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.78 грн
10+ 54.34 грн
100+ 38.19 грн
500+ 33.03 грн
1000+ 29.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7613dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
на замовлення 52730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.62 грн
10+ 56.62 грн
100+ 44.07 грн
500+ 35.06 грн
1000+ 28.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7613dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
SI7613DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7613dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 52.1W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7613DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7613dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 52.1W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній